第三代太阳能电池即为砷化镓三五族太阳能电池，砷化镓(GaAs)被运用于太空作为发电用途已有很长的历史。
太阳能电池(Solar Cell)可大致分为三代，第一代为硅晶电池，又可大致分为单晶硅与多晶硅两种，
商业应用之历史最悠久，已被广泛应用于家庭与消费性商品第二代产品为薄膜太阳能电池，
主要构成材料为非晶硅(Amorphous)与二六族化合物半导体，常被运用于建筑涂料。
三结砷化镓原理？
一种通过采用金属键合技术，将钙钛矿太阳能电池串接在多结砷化镓太阳能电池上，其原理相当于电池之间的串联模式。然而，砷化镓太阳能电池一般通过金属有机化合物气相沉积(mocvd)或者分子束外延(mbe)中进行外延沉积制备，在外延生长过程中，p型砷化镓半导体层一般掺杂c元素或者zn元素，生长较为困难，p型重掺杂gaas更是难以制备
砷化镓的光吸收系数是多少？
砷化镓材料太阳能电池具有明显的优势，在可见光范围内， 砷化镓材料的光吸收系数远高于 Si 材料。同样吸收95%的太阳光，砷化镓太阳能电池只需 5 ～ 10 μm 的厚度，而硅太阳能电池则需大于 150 μm。因此， 砷化镓太阳能电池能制成薄膜结构，质量大幅减小。
太阳能锗电池和硅电池的优缺点？
太阳能锗晶片因其高效率、高电压和高温特性好等优点。
广泛应用于空间卫星太阳能电池、高空无人侦察机、地面高倍聚光太阳能电站等领域；砷化镓相比硅具有更高的电子迁移率和饱和迁移速度，用砷化镓制成的半导体器件和半绝缘器件有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点；磷化铟晶片具备更高电子迁移速度，适合制造高速、高频低功耗微波、毫米波器件和电路，主要用于生产光通信用激光器和空间探测器。
缺点是能耗高、工艺复杂 ,衬底材料成本高 则可更充分地利用太阳光谱 多晶硅薄膜比非晶硅锗
当前高效能的砷化镓（GaAs）太阳能电池．产生能量的效率高达33%．已知GaAs中，As元素化合价为-3价，则Ga
因砷化镓的化学式为GaAs，As元素化合价为-3价，
设该化合物中Ga元素的化合价为x，
根据化合物中正负化合价的代数和为0，则
x+（-3）=0
解得x=+3
故选D．