常见的有LM324LM358uA741TL081\2\3\4OP07OP27,这些都可以做成电压比较器(不加负反馈)
研究家们你好我想把温差发电芯片,安装在太阳能里,安装多少芯片才能达到3500w呢!
太阳能热水器夏季温度在80度左右,一片发电片发电1.2V,250毫安,即0.3W,3500W需发电片11667片,每片15元,需175005元,需要几年收回成本呢?
制作太阳能电池片太阳能组件
朋友,首先你有些混乱。
制作太阳能电池片,并不需要什么化学试剂。
它只需要相关的设备。比如,你把硅原片买回来,需要进行筛选(分选机),划片(划片机),电路印刷(电路印刷机)。后期有检测,像性能测试仪,紫外线老化测试仪。
要是做组件,就更不需要你说的什么试剂了。需要层压机,需要电池片串焊机,需要观测台等等。实验器材,要看你做出的组件,用在什么地方,要是电站需要紫外线老化测试仪,淋水试验台等等,要是BIPV,就需要风压测试台,撞击实验台。等等
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制造太阳能电池需要高纯度的硅,工业上制高纯硅常用以下反应:①Si(s)+3HCl(g)300℃SiHCl3(g)+H2(
A、反应符合置换反应概念,故A正确;
B、反应②需要1000-1100°C,说明反应是吸热反应,故B正确;
C、两个反应的反应条件不同,不能称为可逆反应,故C错误;
D、反应过程中元素化合价均有变化,所以都是氧化还原反应,故D正确;
故选C.
太阳能电池板的制作流程
切片,清洗,制备绒面,周边刻蚀,去除背面PN+结,制作上下电极,制作减反射膜,烧结,测试分档等10步。
太阳能电池具体的制作工艺说明
(1) 切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。
(2) 清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。
(3) 制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
(4) 磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。
(5) 周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
(6) 去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。
(7) 制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
(8) 制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
(9) 烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
(10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂,一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。