1）太阳能光强。太阳能电池就是把太阳光转化为电的一种器件，在一般的情况下（注意条件），太阳能电池的效率随光强增加而增加的。再进一步说就是太阳能电池效率和安装地的综合气候条件有关系。2）电池的材料。不同的材料对光的吸收系数不同，禁带宽度也不同，量子效率自然也不同，电池效率自然也不同了。一般来说，单晶硅/多晶硅对光的系数系数远小于非晶硅的，所以非晶硅太阳能电池厚度仅仅有单晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可较好的吸收太阳光。另外理论上讲GaAs太阳能电池的极限效率要大于其他太阳能电池的极限效率，因为GaAs太阳电池的禁带宽度在1.4ev，和地面太阳光光谱能量的最值最为接近。3）工艺水平。不同的工艺水平，电池的效率自然也不同，看看各个厂子就很明白了，为什么原材料几乎都一样，做出来的电池效率却差别很大，原因就在这。工艺水平自然和设备水平有着重要的关系，一般来说设备越是先进工艺就越优秀，电池效率就越高（工艺是设备的产物，没有设备工艺无法实现，都是空想）。典型的例子就是SiN:H减反膜以及倒金字塔结构，一块电池如果不采用这两种工艺，效率差别会很大（大概8%左右）。实际生产中典型的工艺有：尚德的“Pluto”，晶澳的“Maple”，英利的“熊猫”等等。
新能源是新经济，新经济前期的发展是指数性的爆发增长，这个行业的前景不错。但是中国人容易头脑发热，一窝蜂的上，现在有着说法“买个切片机就说自己是某某光伏公司”，这样发展下去电池行业会重复中国彩电业，苦了自己，富了别人。电池这个产业现在火的有道理又没有道理，国企也进来掺和了，一锅粥就这乱炖起来，我相信未来几年行业就会大洗牌，谁是骡子谁是马自然一目了然。另外光伏行业的发展发向（近几年看）是垂直一体化，但是这个模式究竟能不能演义成经典，有待考察。上有硅料供应商纷纷进入中下游，电池制作商也纷纷进入上游硅料，现在就是这样一副景象，做电池的更关心怎么做硅料，做硅料的更关心怎么做电池，然而与电池最为核心的设备却无人问津，高校的研究者就是扯淡，国家大笔钱投入，都让他们换成了发票，但是不见设备出来，哎，乱哪！
借用一句话总结“道路坎坷，前途光明”！
光伏多晶硅
多晶硅材料小知识
A、太阳能级多晶硅料
技术要求：
总体要求：硅含量99.9999%
含硼量：<0.20ppba
含磷量：<0.90ppba
含碳量：<1.00ppba
金属含量：<30.00ppba
金属表面含量：<30.00ppba
尺寸大小要求：25mm---250mm
多晶种类：P型
电阻率：>0.50Ohmcm
B、破碎半导体级硅片
技术要求：
半导体级碎硅片
片子形状为圆弧形碎片
硅片厚度>=400um
型号为P型
电阻率：>0.50Ohmcm
C、小多晶硅
技术要求
1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3
2. 块状为4mm
3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料
D、直拉多晶硅
技术要求
1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm， 硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3
2. 块状小于30mm
3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料
E、区熔头尾料
技术要求
1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm
2. 块状大于 30mm
3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。
4. 最好为免洗料
F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料
1. N型，电阻率大于10ohmom
2. P型，电阻率大于 0.5ohmom
3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm
4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物