一、太阳能电池片去PSG工艺是什么
PSG（Phospho Silicate Glass）
是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。
扩散原理：
POCl3在高温600℃下分解，产生P2O5和PCl5,然后2P2O5 +5Si―― 5SiO2 +4P，这样生成的P就可以扩散到硅片里，实现P掺杂。在扩散中，我们还比通入足够的氧气，这样PCl5和氧气反应，生成P2O5和Cl2，从而避免产生的PCl5对硅片的不利影响。
通过反应可以发现，在实现P掺杂的同时，在硅片表面还会有二氧化硅和五氧化二磷，所谓的PSG，通过氢氟酸溶液洗去。
去PSG是指去鳞硅玻璃，防止音响导电的。
SiO2+6HF➡️H2［SiF6］+2H2O
二、谁能告诉下太阳能电池制造中扩散的原理及工艺过程，最好把工艺的原理及目的说的详细些？
扩散的目的：太阳能电池的基本就够就是一个PN结，而扩散就是为了形成PN结。
扩散的原理：太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片，我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层，从而形成PN结。现在一般采用的都是磷扩散。扩散源是三氯氧磷（pocl3），在900℃的高温下，它与硅片反应，生成二氧化硅和磷。具体的反应过程如下：
三、晶体硅太阳能电池片扩散工艺现状及发展
现在很多企业在做高阻试验，可以降低复合中心，提高均匀性，提高效率，目前做的比较好的在60左右，也有人在尝试70，这种方式对烧结工艺有着很高的要求。
SE选择性扩散，此工艺可以提升单晶效率至1珐耿粹际诔宦达为惮力8.5%左右，此工艺方法有很多种，但目的是一样，支持选择性扩散设备不多（今年估计国内回有批量做SE的），对栅线印刷很高，这有可能在设备成熟以后提高效率的一个大发展方向！
HIT双面电池，这个是双面扩散，双面电池制作，效率可以提升至20%左右，但目前还没有厂家批量生产，成本高、制作工艺复杂，还停留在实验室研发！
当然，出了扩散外还有其他方法去提升效率。
个人见解、胡编乱造、万望指教！
四、多晶硅太阳能电池片扩散工艺电阻调试原理
方块电阻偏高，调节（提高）扩散炉管炉温；
方块电阻偏低，降低炉温；
方块电阻的大小还可以通过磷源量的大小调节，现在都控制在70左右。
五、太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理？
我明白你的意思了。现在工业生产太阳能电池片的硅片，都是P型衬底，意思是之前已经掺杂三族元素了，我们只需要进行磷扩散，就可以形成P-N结。
以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。
